OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - [143]
| 0,5 | |||
| CGSO | Удельная емкость перекрытия затвор-сток (на единицу ширины) | 0 | Ф/м |
| CGDO | Удельная емкость перекрытия затвор-исток (на единицу ширины) | 0 | Ф/м |
| CGBO | Удельная емкость перекрытия затвор-подложка (на единицу ширины) | 0 | Ф/м |
| NSUB | Плотность легирования подложки | 0 | см>-3 |
| NSS | Плотность медленных поверхностных состояний | 0 | см>-2 |
| NFS | Плотность быстрых поверхностных состояний | 0 | см>-2 |
| TOX | Толщина оксидного слоя | бесконечно большая | м |
| TPG | Тип материала затвора: +1 противоположен типу подложки, -1 такой, как в подложке, 0 алюминий | ||
| XJ | Глубина металлургического перехода | 0 | м |
| UO | Поверхностная подвижность | 600 | см²/В×с |
| UCRIT | Напряженность критического снижения подвижности (для LEVEL = 2) | ||
| UEXP | Показатель степени критического снижения напряженности (для LEVEL = 2) | ||
| UTRA | (Не используется) напряженность критического снижения поперечное подвижности | ||
| VMAX | Максимальная скорость дрейфа | 0 | м/с |
| NEFF Коэффициент заряда канала (для LEVEL = 2) | 1 | ||
| XQC | Часть заряда канала, определяемая стоком | 1 | |
| DELTA | Коэффициент влияния ширины канала на пороговое напряжение | 0 | |
| THETA | Коэффициент модуляции подвижности (для LEVEL = 3) | 0 | В>-1 |
| ETA | Коэффициент статической обратной связи (для LEVEL = 3) | 0 | |
| KAPPA | Коэффициент насыщения поля (для LEVEL = 3) | 0,2 | |
| KF | Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума | 0 | |
| AF | Показатель спектральной плотности фликкер-шума | 1 |
МОП-транзистор, который показан на рис. D.4, смоделирован как встроенный МОП-транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, омическим сопротивление RS, включенным последовательно с истоком, омическим сопротивлением RG последовательно с затвором и омическим сопротивлением RB последовательно с подложкой. Сопротивление утечки RDS подключено параллельно каналу (сток-исток).
Рис. D.4. Модель МОП-транзистора
Q<имя> <узел коллектора> <узел базы> <узел эмиттера> <[узел подложки]> <имя модели> [площадь]
| Имя параметра | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| IS | Ток насыщения pn-перехода | 1Е-16 | А |
| BF | Максимальный прямой коэффициент усиления для идеального транзистора | 100 | |
| NF | Коэффициент эмиссии тока при прямом смещении | 1 | |
| VAF(VA) | Напряжение Эрли при прямом смещении | Бесконечно большое | В |
| ISE (C2) | Ток насыщения утечки перехода база-эмиттер | 0 | А |
| IKF (IK) | Ток, соответствующий перегибу в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора | Бесконечно большое | А |
| NE | Коэффициент неидеальности перехода база-эмиттер | 1,5 | |
| BR | Максимальный коэффициент усиления для идеального транзистора в инверсном режиме | 1 | |
| NR | Коэффициент неидеальности в инверсном режиме | 1 | |
| VAR (VB) | Напряжение Эрли в инверсном режиме | Бесконечно большое | В |
| IKR | Ток, соответствующий точке перегиба в зависимости коэффициента усиления от тока коллектора | Бесконечно большое | А |
| ISC (C4) | Ток насыщения утечки перехода база-коллектор | 0 | А |
| NC | Коэффициент неидеальности коллекторного перехода | 2,0 | |
| RB | Объемное сопротивление базы при нулевом смещении (максимальное) | 0 | Ом |
| RBM | Минимальное сопротивление базы | RB | Ом |
| RE | Омическое сопротивление эмиттера | 0 | Ом |
| RC | Омическое сопротивление коллектора | 0 | Ом |
| CJE | Емкость перехода база-эмиттер при нулевом смещении | 0 | Ф |
| VJE(PE) | Контактная разность потенциалов перехода база-эмиттер | 0,75 | В |
| MJE(ME) | Градиентный коэффициент перехода база-эмиттер | 0,33 | |
| CJC | Емкость перехода база-коллектор при нулевом смещении | 0 | Ф |
| VJC | Контактная разность потенциалов перехода база-коллектор | 0,75 | В |
| MJC (МС) | Градиентный коэффициент перехода база-коллектор | 0,33 | |
| XCJC | Доля Cbc, связанная с Rb | 1 | |
| CJS | Емкость перехода коллектор-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф |
| VJS(PS) | Контактная разность потенциалов перехода коллектор-подложка | 0,75 | |
| MJS (MS) | Градиентный коэффициент перехода коллектор-подложка | 0 | |
| FC | Коэффициент конденсатора истощения прямого смещения | 0,5 | |
| TF | Прямое время пролета для идеального транзистора | 0 | с |
| XTF | Коэффициент для времени пролета | 0 | |
| VTF | Напряжение, характеризующее зависимость времени пролета от Vbc | Бесконечно большое | В |
| ITF | Ток, характеризующий зависимость времени пролета от Vbc | 0 | А |
| PTF | Дополнительный сдвиг фазы при частоте I/(2πTF) Гц | 0 | ° |
| TR | Время обратного пролета для идеального транзистора | 0 | с |
| EG | Напряжение ширины запрещенной зоны (высота барьера) | 1,11 | эВ |
| XTB | Температурный коэффициент для BF и BR | 0 | |
| XTI | Температурный коэффициент для IS | 3 | |
| KF | Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума | 0 | |
| AF | Показатель спектральной плотности фликкер-шума | 1 |
BJT, что видно из рис. D.5, смоделирован как встроенный транзистор с омическим сопротивлением RC, включенным последовательно с коллектором, с переменным сопротивлением последовательно с базой и омическим сопротивлением RE последовательно с эмиттером. Узел подложки не обязателен, по умолчанию он заземляется, если не оговаривается другое соединение.
Рис. D.5. Модель полевого транзистора BJT
R
| Имя параметра | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| R | Множитель для определения сопротивления | 1 | |
| TCI | Линейный температурный коэффициент | 0 | °С |
| ТС2 | Квадратичный температурный коэффициент | 0 | °C |
| ТСЕ | Экспоненциальный температурный коэффициент | 0 | %°C |
Если [имя модели] включено в директиву, а ТСЕ не определен, то сопротивление вычисляется по формуле
<значение> R(1 + TC1(Т – T>nom) + ТС2(Т – T>nom)²), где T>nom — номинальная температура.
Если же [имя модели] включено в директиву и определен параметр ТСЕ, то сопротивление вычисляется по другой формуле