OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - [142]
H<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
I<имя> <+узел> <-узел>[[DС]<значение>] [АС] <амплитуда> [<фазовый угол>]][спецификация формы тока]
Если имеется [спецификация формы тока], она должна быть одной из следующих: EXP(), PULSE(), PWL(), SFFM() или SIN().
J[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели>
| Параметры модели | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| VTO | Барьерный потенциал | –2,5 | В |
| BETA | Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением | 0,1 | А/В² |
| LAMBDA | Константа, учитывающая модуляцию длины канала | 0 | B>-1 |
| RG | Омическое сопротивление затвора | 0 | Ом |
| RD | Омическое сопротивление стока | 0 | Ом |
| RS | Омическое сопротивление истока | 0 | Ом |
| IS | Ток насыщения pn-перехода затвора | 1Е-14 | А |
| M | Коэффициент лавинного умножения pn-перехода затвора | 0,5 | |
| N | Коэффициент эмиссии | 1 | |
| VBI | Потенциал pn-перехода затвора | 1 | В |
| CGD | Емкость затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CGS | Емкость затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CDS | Емкость сток-исток | 0 | Ф |
| FC | Коэффициент нелинейности емкости прямосмещенного перехода | 0,5 | |
| VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | |
| ВЕТАТСЕ | Температурный коэффициент BETA | 0 | |
| KF | Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума | 0 | |
| AF | Показатель спектральной плотности фликкер-шума | 1 |
Полевой транзистор JFET, как показано на рис. D.3, смоделирован как встроенный полевой транзистор с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком. Другое омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком.
Рис. D.3. Модель полевого транзистора JFET
K<имя> L<имя катушки индуктивности>
K<имя> L<имя катушки индуктивности> * <значение коэффициента связи> <имя модели> [размеры]
| Имя параметра (только для нелинейных компонентов) | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| AREA | Среднее сечение магнитопровода | 0,1 | см² |
| PATH | Средняя длина магнитной линии | 1 | см |
| GAP | Эффективная длина воздушного зазора | 0 | см |
| PACK | Коэффициент заполнения магнитопровода | 1 | |
| MS | Напряженность насыщения | 1Е+6 | А/м |
| ALPHA | Коэффициент усреднения поля | 0,001 | |
| A | Параметр формы кривой намагничивания | 1000 | А/м |
| С | Постоянная упругого смещения доменов | 0,2 | |
| К | Постоянная подвижности доменов | 500 |
K<имя> называет компонент, состоящий из двух или более магнитно-связанных катушек индуктивности. Точкой обозначают первые (положительный) узел каждой катушки индуктивности. Если задано <имя модели>, то компонент представляется моделью, в которой:
а) катушка индуктивности представляет собой нелинейное устройство с магнитопроводом;
б) характеристики ВН основаны на модели Jiles-Atherton*;
в) значения L указывают число витков соответствующей обмотки;
г) необходима директива ввода модели, чтобы определить ее параметры.
L<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]
| Имя параметра | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| L | Коэффициент, на который умножается емкость | 1 | |
| IL1 | Линейный коэффициент тока | 0 | А>-1 |
| IL2 | Квадратичный коэффициент тока | 0 | А>-2 |
| TCI | Линейный коэффициент температуры | 0 | °C>-1 |
| ТС2 | Квадратичный коэффициент температуры | 0 | °C>-2 |
Если [имя модели] отсутствует, то <значение> представляет собой индуктивность в генри. Если [имя модели] задано, то индуктивность вычисляется по формуле
<Значение> L (I + IL>1·I + IL>2·I²)(I + TC>1(T – T>nom) + ТС>2(Тм – T>nom)²),
где T>nom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.
М[имя] <узел стока> <узел управляющего электрода> <узел истока> <узел корпуса/подложки> <имя модели> [L = значение] [W = значение] [AD = значение] [AS = значение] [PD = значение] [NRD = значение] [NRS = значение] [NRG = значение] [NRB = значение]
| Имя параметра | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| LEVEL | Тип модели (1, 2 или 3) | 1 | |
| L | Длина канала | DEFL | м |
| W | Ширина канала | DEFW | м |
| LD | Длина области боковой диффузии | 0 | В |
| WD | Ширина области боковой диффузии | 0 | В |
| VTO | Барьерный потенциал | 0 | В |
| KP | Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением | 2Е-5 | А/В² |
| GAMMA | Коэффициент влияния подложки на пороговое напряжение | 0 | В>0.5 |
| PHI | Поверхностный потенциал | 0,6 | В |
| LAMBDA | Константа, учитывающая модуляцию длины канала (для моделей 1 и 2) | 0 | В>-1 |
| RG | Омическое сопротивление затвора | 0 | Ом |
| RD | Омическое сопротивление стока | 0 | Ом |
| RS | Омическое сопротивление истока | 0 | Ом |
| RB | Омическое сопротивление подложки | 0 | Ом |
| RDS | Сопротивление утечки сток-исток | Бесконечно большое | А |
| RSH | Удельное сопротивление диффузионных областей стока и истока | 0 | Ом/кв |
| IS | Ток насыщения pn-перехода сток(исток)-подложка | 1Е-14 | А |
| PB | Потенциал приповерхностного слоя подложки | 0,8 | В |
| JS | Плотность тока насыщения pn-перехода сток(исток)-подложка | 0 | А/м² |
| CBD | Емкость перехода сток-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CBS | Емкость перехода исток-подложка при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CJ | Удельная емкость перехода сток(исток)-подложка при нулевом смещении (на единицу площади перехода) | 0 | Ф/м² |
| CJSW | Удельная емкость боковой поверхности перехода сток(исток) — подложка при нулевом смещении (на единицу длины периметра перехода) | 0 | Ф/м |
| MJ | Градиентный коэффициент нижнего pn-перехода | 0,5 | Ф |
| MJSW | Градиентный коэффициент боковой части pn-перехода | 0,33 | Ф |
| FC | Коэффициент емкости перехода подложки при прямом смещении |