OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - [141]
Рис. С.3. Демонстрационная программа ускоренного обучения
Рис. С.4. Меню уроков ускоренного обучения
Рис. С.5. Упражнение по созданию схемы
Если вы хотите глубже изучить упражнения, приведенные в главах, посвященных программе Capture, выберите Help, Learning Capture. Набор упражнений в первых тринадцати главах касается намного большего числа тем и рассматривает их более подробно, чем при ускоренном обучении. Так как эти уроки потребуют значительных временных затрат, не стоит обращаться к ним, пока не возникнет действительная необходимость; при этом можно ознакомиться только с уроком, представляющим для вас интерес. Меню для этих уроков показано на рис. С.6.
Рис. С.6. Меню уроков по Capture
Приложение D. Компоненты: параметры моделей PSpice
Знак * указывает, что элемент может быть повторен.
В[имя] <узел стока> <узел затвора> <узел истока> <имя модели> <[площадь]>;
| Имя параметра | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| LEVEL | Тип модели (1 = Curtice, 2 = Raytheon) | 1 | |
| VTO | Барьерный потенциал | -2,5 | В |
| ALPHA | Константа, определяющая зависимость тока стока, от напряжения сток-исток | 2 | B>-1 |
| В | Коэффициент легирования | 0,3 | |
| BETA | Транскондуктивность, связывающая ток стока с напряжением | 0,1 | А/В² |
| LAMBDA | Константа, учитывающая модуляцию длины канала | 0 | В>-1 |
| RG | Омическое сопротивление затвора | 0 | Ом |
| RD | Омическое сопротивление стока | 0 | Ом |
| RS | Омическое сопротивление истока | 0 | Ом |
| IS | Ток насыщения pn-затвора | 1Е-14 | А |
| M | Коэффициент лавинного умножения pn-затвора | 0,5 | |
| N | Коэффициент эмиссии pn-затвора | 1 | |
| VBI | Потенциал pn-затвора | 1 | В |
| CGD | Емкость затвор-сток при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CGS | Емкость затвор-исток при нулевом смещении | 0 | Ф |
| CDS | Емкость сток-исток | 0 | Ф |
| TAU | Время переноса заряда | 0 | |
| FC | Коэффициент нелинейности прямосмещенной барьерной емкости | 0,5 | |
| VTOTC | Температурный коэффициент VTO | 0 | |
| BETATCE | Температурный коэффициент BETA | 0 | |
| KF | Коэффициент спектральной плотности фликкер-шума | 0 | |
| AF | Показатель спектральной плотности фликкер-шума | 1 |
[площадь] — относительная площадь устройства, по умолчанию ее значение равно 1. Компонент GaAsFET, как показано на рис. D.1, смоделирован как встроенный полевой транзистор (FET) с омическим сопротивлением RD, включенным последовательно со стоком, второе омическое сопротивление RS включено последовательно с истоком и третье омическое сопротивление RG — последовательно с затвором.[10]
Curtice и Raytheon представляют собой модели, названные по именам авторов. Описание приведено, соответственно, в работах:
[1] W. R. Curtice, «А MOSFET model for use in the design of GaAs integrated circuits», IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques, MTT-28, 448-456 (1980).
[2] H. Statz, P. Newman, I. W. Smith, R. A. Pucel, and H. A. Haus, «GaAs FET Device and Circuit Simulation in SPICE», IEEE Transactions on Electron Devices, ED-34,160-169 (1987). (Прим. переводчика.)
Рис. D.1. Модель для арсенид-галлиевых транзисторов GaAsFET
С<имя> <+узел> <-узел> [имя модели] <значение> [IС = начальное значение>]
| Параметры модели | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| С | Коэффициент, на который умножается емкость | 1 | |
| VC1 | линейный коэффициент напряжения | 0 | B>-1 |
| VC2 | квадратичный коэффициент напряжения | 0 | В>-2 |
| TC1 | линейный коэффициент температуры | 0 | °C>-1 |
| ТС2 | квадратичный коэффициент температуры | 0 | °C>-2 |
Если [имя модели] отсутствует, то <значение> приведенное далее, представляет собой емкость в фарадах. Если [имя модели] задано, то емкость вычисляется по формуле
<3начение> C(I + VC>1·V + VC>2·V²)(I + TC>1(T – T>nom) + TC>2(T - T>nom)²),
где T>nom — номинальная температура, установленная опцией TNOM.
D<имя> <+узел> <-узел> <имя модели> [площадь]
| Параметры модели | Параметр | Значения по умолчанию | Единицы |
|---|---|---|---|
| IS | Ток насыщения | 1Е-14 | А |
| N | Коэффициент эмиссии | 1 | |
| RS | Паразитное сопротивление | 0 | Ом |
| CJO | Емкость pn-перехода при нулевом смещении | 0 | Ф |
| VJ | Потенциал pn-перехода при прямом смещении | 1 | В |
| M | Коэффициент лавинного умножения pn-перехода | 0,5 | |
| FC | Коэффициент нелинейности емкости прямосмещенного перехода | 0,5 | |
| TT | Время переноса заряда | 0 | с |
| BV | Обратное напряжение пробоя | бесконечно большое | В |
| IBV | Обратный ток пробоя | 1Е-10 | А |
| EG | Ширина запрещенной зоны (высота барьера) | 1,11 | эВ |
| XTI | Ток насыщения IS | 3 | |
| KF | Коэффициент фликкер-шума | 0 | |
| AF | Показатель степени для фликкер-шума | 1 |
Модель диода, показанная на рис. D2, содержит встроенное омическое сопротивление RS.
Рис. D.2. Модель диода
Е<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <коэффициент усиления>
Е<имя> <+узел> <-узел> POLY <значение> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
F<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <коэффициент усиления>
F<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <имя управляющего компонента V> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
G<имя> <+узел> <-узел> <+узел управления> <-узел управления> <проводимость передачи>
G<имя> <+узел> <-узел> POLY <(значение)> <+узел управления> <-узел управления> * <значения полиномиальных коэффициентов> *
Н<имя> <+узел> <-узел> <имя управляющего компонента V> <сопротивление передачи>