OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - [148]
Параметры рассматриваемой нами модели компаратора соответствуют комнатной температуре, температурные изменения в модели не отражаются. Библиотечный файл содержит модели для номинального устройства и не учитывает наихудший случай.
>connections: non-inverting input
> | inverting input
> | | positive power supply
> | | | negative power supply
> | | | | open collector output
> | | | | | output ground
> | | | | | |
>.subckt LM111 1 2 3 4 5 6
>f1 9 3 v1 1
>iee 3 7 dc 100.0E-6
>vi1 21 1 dc .45
>vi2 22 2 dc .45
>q1 9 21 7 qin
>q2 8 22 7 qin
>q3 9 8 4 qin
>q4 8 8 4 qin
>.model qin PNP(Is=800.0E-18 Bf = 833.3)
>.model qmi NPN(Is=800.0E-18 Bf = 1002)
>.model qmo NPN(Is=800.0E-18 Bf = 1000 Cjc=1E-15 Tr=118.8E-9)
>e1 10 6 9 4 1
>v1 10 11 dc 0
>q5 5 11 6 qoc
>.model qoc NPN(Is=800.0E-18 Bf=34.49E3 Cjc=1E-15 Tr=79.34E-9)
>dp 4 3 dx
>rp 3 4 6.122E3
>model dx B(Is = 800.0E-18 Rs = 1)
>.ends
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для магнитопроводов. Параметры в библиотеке ОУ были получены из справочных данных для каждого магнитопровода. Модель магнитного материала описана в работе Jiles, D. С, and D. L. Atherton, 1986, Theory of ferromagnetic hysteresis, Journal of Magnetism and Magnetic Materials 61:48-60. Параметры модели для феррита (Ferroxcube 3С8) были получены с использованием кривых гистерезиса В(Н) из каталога изготовителя. Затем была создана библиотека для каждого типоразмера магнитопровода из справочных данных. Обратите внимание, что магнитопровод характеризуется только типоразмером.
Используемый пример:
>K2 L2 .99 K1409PL3C8
Примечания:
1. Использование компонента K со ссылкой на модель (ранее он применялся только для катушек с взаимной связью) изменяет смысл величины L: теперь это не значение индуктивности, а число витков обмотки.
2. Компонент К устройства может иметь только одну катушку индуктивности, как в предшествующем примере, где моделируется мощный дроссель.
Схемный файл:
>+
>| Demonstration of power inductor B-H curve
>| To view results with Prove (B-H curve) :
>| 1) Add Trace for B(K1)
>| 2) set X-axis variable to H(K1)
>| Probe x-axis unit is Oersted
>| Probe y-axis unit is Gauss
>|.tran .1 4
>| igen0 0 1 sin (0.1amp 1Hz 0) ; Generator: starts with 0.1 amp sinewave, then
>| igen1 0 1 sin(0.1amp 1Hz 1); +0.1amps, starting at 1 second
>| igen2 0 1 sin(0.2amp 1Hz 2) ; +0.2 amps, starting at 2 seconds
>| igen3 0 1 sin(0.8amp 1Hz 3) ; +0.4 amps, starting at 3 seconds
>|RL 1 0 1ohm ; generator source resistance
>| LI 1 0 20 ; inductor with 2 0 turns
>|K1 LI .9999 K528T500 ; Ferroxcube torroid core
>|.model K528T500 3C8 CORE (Ms = 415 .2K A=44.82 C=.4112 K=25.74)
>|+ AREA=1.17 PATH = 8.49)
>| options it15=C
>|.probe
>|.end
>+
Магнитопровод Ferroxcube (горшок): феррит 3C8
>.model K3019PL_ Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
>+ Area=1.38 Path=4.52)
Прямоугольный магнитопровод Ferroxcube: феррит 3C8
>.model KRM8PL_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
>+ Area=.630 Path = 3.84)
Тороидальный магнитопровод Ferroxcube: феррит 3C8
>.model K502T300_3C8 Core (MS = 415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
>+ Area=.371 Path = 7.32)
>.model K528T500_3C8 Core(MS=415.2K A=44.82 C=.4112 K=25.74
>+ Area = 1.17 Path = 8.49)
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для мощных полевых транзисторов (MOSFET). Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Характеристики каждого компонента задавались с использованием опции Parts. Транзисторы могут также характеризоваться без использования Parts следующим образом:
| LEVEL | Устанавливается равным 3 (прибор с коротким каналом) |
| ТОХ | Определяется классом затвора |
| L, LD, W, WD | Полагаем L=2u (вычисляется из входной емкости) |
| XJ, NSUB | Отображает технологию изготовления |
| IS, RD, RB | Определяется из параметра «прямое падение на диоде исток-сток» или из зависимости Idr от Vsd |
| RS | Определяется из параметра Rds(on) |
| RDS | Определяется из параметра или графика Idss |
| VTO, UO, THETA | Определяется из семейства выходных характеристик Ids(Vds) с шагом по параметру Vgs |
| ETA, VMAX, CBS | Устанавливается для нулевого эффекта |
| CBD, PB, MJ | Определяется из графика зависимости емкости от Vds |
| RG | Определяется из параметров времени нарастания и времени спада или из временных диаграмм |
| CGSO, CGDO | Определяется из заряда затвора задержки включения и выключения и времени нарастания |
Примечание: При описании компонента в вашем схемном файле убедитесь, что узлы истока и подложки соединены, поскольку это осуществляется в реальных устройствах. НЕ ВКЛЮЧАЙТЕ значения для параметров L, W, AD, AS, PD, PS, NRD или NDS! Программа PSpice задает эти значения по умолчанию в командах библиотечной модели. Конечно, вы НЕ ДОЛЖНЫ возвращаться к значениям по умолчанию, если задаете опции с помощью инструкции .OPTIONS, например, если используете
>M17 15 23 7 7 IRF150
Изготовители «мощных» МОП-транзисторов сопровождают их относительно законченным набором нормированных статических и динамических характеристик для моделирования. Моделируются следующие эффекты: передаточные характеристики в прямом направлении на постоянном токе, характеристики управления затвором и задержки переключения, сопротивление во включенном состоянии и влияние паразитных обратных диодов. Не смоделированы предельные значения, связанные с выходом прибора из строя (например для случая пробоя при высоком напряжении) и с областью безопасной работы (например при превышении допустимой рассеиваемой мощности) и с шумом.