OrCAD PSpice. Анализ электрических цепей - [146]
| 7492А | Счетчик, делящий на 12, 4-разрядный, асинхронный |
| 7493А | Счетчик двоичный 4-разрядный, асинхронный |
| 7494 | 4-разрядный сдвиговый регистр |
| 7495А | 8-разрядный параллельный сдвиговый регистр |
| 7496 | 8-разрядный последовательный сдвиговый регистр с параллельным выходом |
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для биполярных транзисторов (BJT). Параметры для каждого компонента в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных. Каждый компонент характеризовался с использованием опции Parts. Устройства могут также характеризоваться без использования Parts следующим образом:
| NE, NC | Обычно равны 4 |
| BF, ISE, IKF | Они получены из номинальной кривой зависимости коэффициента усиления от тока коллектора. Величина BF определяется коэффициентом усиления в среднем диапазоне. Отношение ISE/IS определяется точкой перегиба характеристики при низких значениях тока, IKF — при высоких значениях |
| ISC | Устанавливается равным ISE |
| IS, RB, RE, RC | Они определяются по заданным номинальным зависимостям VBE(IC) и VCE(IC) при насыщении. IS определяется низким значением тока VBE. Величина RB+RE определяется крутизной нарастания VBE при росте IС. Величина RE+RC определяется крутизной нарастания VCE при росте IС. Сопротивление RC обычно устанавливается равным 0 |
| VAF | Напряжения, определенные на листе данных, используются, чтобы установить VAF, чтобы дать номинальное полное сопротивление выхода (RO на .ОР распечатке) на листе данных |
| CJC, CJE | Используются напряжения, определенные в справочных данных, чтобы установить CJC и CJE, чтобы дать номинальные емкости входа и выхода (CPI и CMU на распечатке по директиве .OP; Cibo и Cobo на листе данных) |
| TF | Используются напряжения и токи, заданные в справочных данных для вычисления FT. Время пролета TF выбирается таким, чтобы получить номинальное значение FT при распечатке по директиве .ОР |
| TR | Используются графики нарастания и спада из справочных данных, чтобы откорректировать TR (и при необходимости TF) таким образом, чтобы анализ переходных процессов давал номинальные значения задержки включения, времени нарастания, времени накопления и времени спада |
| KF, AF | Эти параметры устанавливаются только тогда, когда в справочных данных приведена спецификация шума. Тогда AF устанавливается равным 1, a KF — таким, чтобы общий шум в коллекторе превышал шум генератора в коллекторе на заданное число децибел |
>.model Q2N2222 NPN(Is = 14.34f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=255.9 Ne=1.307
>+ Ise=14.34f Ikf=.2847 Xtb=1.5 Br=6.092 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=1
>+ Сjc=7.306p Mjc=.3416 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=22.01p Mje=.377 Vje=.75
>+ Tr=46.91n Tf=411.1p Itf=.6 Vtf=1.7 Xtf=3 Rb=10)
>National pid=19 case=T018
>88-09-07 barn creation
>.model Q2N2907A PNP(Is=650.6E-18 Xti=3 Eg=1.11 Vaf=115.7 Bf=231.7 Ne=1.829
>+ Ise = 54.81f Ikf = 1.079 Xtb = 1.5 Br=3.563 Nc = 2 Isc = 0 Ikr = 0 Rc=.715
>+ Сjc=14.76p Mjc=.53 83 Vjc=.75 Fc=.5 Cje = 19.82p Mje=.3357 Vje=.75
>+ Tr=111.3n Tf=603.7p Itf=.65 Vtf=5 Xtf=1.7 Rb=10)
>National pid=63 case=T018
>88-09-09 bam creation
>.model Q2N3904 NPN (Is=6.734f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=74.03 Bf=416.4 Ne=1.259
>+ Ise = 6.734f Ikf=66.78m Xtb=1.5 Br=.7371 Nc = 2 Isc=0 Ikr = 0 Rc=1
>+ Сjс = 3.638p Mjc=.3085 Vjc=.75 Fc=.5 Cje = 4.493p Mje=.2593 Vje=.75
>+ Tr=239.5n Tf = 301.2p Itf=.4 Vtf=4 Xtf=2 Rb=10)
>National pid=23 case=T092
>88-09-08 barn creation
>.model Q2N3906 PNP(Is=1.41f Xti=3 Eg=1.11 Vaf=18.7 Bf=180.7 Ke=1.5 Ise=0
>+ Ikf=80rn Xtb=1.5 Br=4.977 Nc=2 Isc=0 Ikr=0 Rc=2.5 Cjc=9.728p
>+ Mjc=.5776 Vjc=.75 Fc=.5 Cje=8.063p Mje=.3677 Vje=.75 Tr=33.42n
>+ Tf = 179.3p Itf = .4 Vtf = 4 Xtf = 6 Rb=10)
>National pid=66 case=T092
>88-09-09 bam creation
Ниже приведена сокращенная версия библиотеки моделей OrCAD для диодов. Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента. Параметры для большинства компонентов задавались с использованием опции Parts.
Компоненты могут также задаваться без опции Parts следующим образом:
| IS | Номинальный ток насыщения |
| RS | Для стабилитронов: номинальное сопротивление при малом сигнале и номинальном рабочем токе |
| IB | Для стабилитронов: устанавливается равным номинальному току насыщения |
| IBV | Для стабилитронов: при номинальном рабочем токе IBV равно установленному напряжению зенеровского пробоя |
Стабилитроны
Суффикс «А» не изменяет параметров стабилитронов (то есть прибор 1N750A имеет те же параметры, что и 1N750).
>.model D1N750 D (Is = 880.5E-1S Rs=.25 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 Сjo = 175p M=.5516
>+ Vj = .75 Fc= .5 Isr=1.859n Nr=2 Bv=4.7 Ibv=20.245m Nbv=1.6989
>+ Ibv1 = 1.9556m Nbv1 = 14.976 Tbv1 = -21.277u)
>Motorola pid=lN750 case=DO-35
>39-9-18 gjg
>Vz = 4.7@ 20mA, Zz=300@1mA, Zz=12.5@5mA, Zz = 2.6@20mA
Диоды с емкостью, зависящей от напряжения (варикапы)
Параметры в этой библиотеке моделей были получены из справочных данных для каждого компонента и задавались с использованием опции Parts.
>.model MV2201 (Is=1.365p Rs = 1 Ikf = 0 N=1 Xti = 3 Eg=1.11 jo=14.93p M=.4261
>+ Vj = .75 Fc =.5 Isr=16.02p Nr=2 Bv=2 Ibv=10u)
>Motorola pid=MV2201 case=182-03
>88-09-22 bam creation
Ключевые диоды