Искусство схемотехники. Том 3 [Изд.4-е] - [166]

Библиография

Общая часть

Руководства

Fink D. G., Christiansen D., 1982. Electronic engineers' handbook. New York: McGraw-Hill.

Энциклопедический справочник.

Fink D.G., Beaty H. W., 1986. Standard handbook for electrical engineers. New York: McGraw-Hill. Руководство для инженеров-электриков.

Giacoletto L. J., 1977. Electronics designers' handbook. New York: McGraw-Hill. Превосходное руководство и масса полезной информации.

Jordan Е., 1985. Reference data for engineers: radio, electronics, computer, and communications. Indianapolis: Horward W. Sams & Co. Информация общего назначения для инженеров.

Каталоги

ЕЕМ: Electronic engineers master catalog. Graden City, NY: Hearst Business Communication, Inc. Ha тысячах страниц представлены паспортные данные на элементы, адреса производителей, их представители и дистрибьюторы. Чрезвычайно полезный каталог. Публикуется ежегодно.

IС master. Garden City, NY: Hearst Business Communications, Inc. Подборка руководств и множество паспортных данных. Чрезвычайно полезный материал. Публикуется ежегодно.

Книги

Bracewell R.N., 1986. The Fourier transform and its applications. New York: McGraw-Hill. Классическая книга в своей области.

Brigham Е. О. 1973. The fast Fourier transform.

Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall. Пользуется большой популярностью.

Higgins R.J. 1983. Electronics with digital and analog integrated circuits. Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall. Если верить автору, то «это книга по электронике, но совсем не такая, как у Хоровица и Хилла».

Lathi В. Р. 1987. Signals and systems. Carmichael, CA: Berkley-Cambridge Press. Теория сетей, методы преобразования, коммуникации.

Mead С, Conway L. 1980. Introduction to VLSI systems. Reading, MA: Addison-Wesley. Разработка приборов и схем, классическая книга.

Millman J., Grabel А. 1987. Microelectronics. New York: McGraw-Hill. Рекомендуем в качестве учебника по широкому кругу вопросов.

Savant С. J., Jr., RodenM.S., Carpenter G. L. 1987. Electronic circuit design. Menlo Park, CA: Benjamin/Cummings. Хороший вводный курс по электронным схемам.

Senturia S. D., Wedlock В. D. 1975. Electronic circuits and applications. New York: Wiley. Хороший вводный курс для инженеров.

SiebertW. М. 1986. Circuits, signals, and systems.

Cambridge, MA: MIT Press. Теория сетей, методы преобразования и обработка сигналов.

Smith R.J. 1984. Circuits, devices, and systems. New York: Wiley. Вводный курс широкого профиля для инженеров.

Tietze U., Schenk С. 1978. Advanced electronic circuits. Berlin: Springer-Verlag. Отличное справочное руководство широкого профиля.

* * *

Глава 1

Holbrook J. G. 1966. Laplace transforms for electronic engineers. New York: Pergamon Press. По этой книге хорошо изучать s-плоскость.

Johnson D. Е., Hilburn J. L., Johnson J. R. 1986. Basic electric circuit analysis. Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall. Анализ пассивных цепей.

Purcell E. M. 1985. Electricity and magnetism (Berkley physics course, vol. 2). New York: McGraw-Hill. Прекрасный учебник по теории электромагнетизма. Отдельные разделы посвящены электрической проводимости и анализу цепей переменного тока с использованием комплексных чисел.

Глава 2

Ebers J.J., Moll J. L. 1954. Large-signal behavior of junction transistors. Proc. I.R.E. 42:1761–1772. Вывод уравнения Эберса-Молла.

Grove A. S. 1967. Phisics and technology of semiconductor devices. New York: Wiley. Описаны принципы создания и работы биполярного транзистора и полевого транзистора.

Schilling D. L, Belove С. 1979. Electronic circuits: discrete and integrated. New York: McGraw-Hill. Традиционный анализ транзисторов с помощью h-параметров.

Searle С. L., Boothroyd A. R., Angelo Е. J., Jr., Gray P. Е., PedersonD. О. 1966. Elementary circuit properties of transistors (semiconductor electronics education committee, vol. 3). New York: Wiley. Посвящена физике транзисторов.

SzeS. M. 1981. Physics of semiconductor devices. New York: Wiley.

"Discrete products databook", "Transistor databook." Сборники технических паспортов на транзисторы, которые время от времени публикуют все фирмы, занятые производством транзисторов, в частности, GE, Motorola, National, и TI. Без паспортных данных не обойтись при разработке схем.

Глава 3

Muller R.S., Kamins T.I. 1986. Device electronics for integrated circuits. New York: Wiley. Посвящена свойствам транзисторов в интегральных схемах.

Richman Р. 1973. MOS field-effect transistors and integrated circuits. New York: Van Nostrand Reinhold. Рекомендуем почитать.

Tsividis Y. P. 1987. Operation and modeling of the MOS transistor. New York: McGraw-Hill. См. также книгу Grove A. S. в библиографии к гл. 2.

"FET databook", "Power MOSFET databook". Сборники технических паспортов на полевые транзисторы, публикуются под этими или похожими заголовками один раз в несколько лет всеми фирмами, занятыми производством полевых транзисторов, в частности, GE (Intersil, RCA), Hitachi, IR, Motorola, National, Siemens и TI. Без паспортных данных не обойтись при разработке схем.

Глава 4

Frederiksen Т. М. 1984. Intuitive IС op-amps. Santa Clara, CA: National Semiconductor Corp.