Искусство схемотехники. Том 3 [Изд.4-е] - [161]

На следующих страницах помещены паспорта на следующие элементы:

2N4400-4401 Популярный сигнальный транзистор

_{(по изданию Motorola Semiconductor Library, том 1, 1974).}

_{(С разрешения фирмы Motorola Semiconductor Products Inc.)}

LF411-412 Популярная серия ОУ на полевых транзисторах с p-n-переходом

_{(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, том 1, 1988).}

_{(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.)}

LM317 Регулируемый 3-выводной стабилизатор положительного напряжения

_{(печатается по изданию National Semiconductor Linear Data Book, 1978).}

_{(С разрешения фирмы National Semiconductor Corp.)} 

2N4400 2N4401

Кремниевые переключательные и усилительные n-р-n-транзисторы; август 1966-DS 5198

_{1 — плоский D-образный корпус для обеспечения монтажа на плоской плате;}

_{2 — прочный, литой, высокотемпературный, прессованный, влагоустойчивый пластмассовый корпус;}

_{3 — расположение вывода легко приспосабливается к стандартному кругу выводов ТО-18;}

_{4 — овальные позолоченные выводы длиной 19/32 дюйма позволяют надежно паять соединение.}

Кремниевые n-р-n-транзисторы типа ANNULARE[6]

… предназначены для ключевых схем общего назначения, усилительных схем и для использования в комплементарных схемах совместно с p-n-p-транзисторами типа 2N4402 и 2N4403.

• Высокое предельное напряжение - пробивное U_KЭО= 40 В (мин.).

• Усиление по току определяется в пределах от 0,1 до 500 мА.

• Низкое напряжение насыщения U_{кэ (нас)} = 0,4 В (макс.) при I_к= 150 мА.

• Полный перечень переключательных и усилительных характеристик.

• Литой корпус типа Injection-Molded Unibloc[7].

Схема ТО-92.

Эквивалентные схемы для измерения времени переключения

Рис. 1.Время включения.

_{Время нарастания осциллографа < 4 нс,* полная шунтирующая емкость испытательного стенда, соединений и осциллографа.} 

Рис. 2.Время выключения.

Переходные характеристики

_{На рис. 3–8: 25 °C, — 100 °C.}

Рис. 3.Емкости.

Рис. 4. Характеристики заряда.

Рис. 5.Время включения.

Рис. 6.Время нарастания и время спада.

Рис. 7.Время хранения.

Рис. 8.Время спада.

Характеристики малого сигнала

Коэффициент шума

_{Uкэ = 10 В пост. тока, Токр = 25 °C}

Рис. 9.Влияние частоты.

Рис. 10.Влияние сопротивления источника.

h-параметры

_{Uкэ = 10 В пост, тока, f = 1 кГц, Токр = 25 °C.} 

Эта группа графиков иллюстрирует взаимосвязь между h_21эи другими h-параметрами для транзисторов этой серии. Для получения этих кривых были отобраны элементы с высоким и низким коэффициентом усиления среди транзисторов типа 2N4400 и 2N4401, соответствующие номера элементов проставлены на каждом из графиков.

Рис. 11.Коэффициент усиления по току.

Рис. 12.Входное сопротивление.

Рис. 13.Коэффициент обратной связи по напряжению.

Рис. 14.Выходная проводимость.

Статические характеристики

Рис. 15.Коэффициент усиления по постоянному току.

Рис. 16.Область насыщения коллектора.

Рис. 17.Напряжения «включенного» состояния.

Рис. 18.Температурные коэффициенты.

Операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n -переходом с небольшим напряжением сдвига, малым дрейфом LF411A/LF411 (National Semiconductor)

Общее описание. Эти недорогие, быстродействующие элементы представляют собой операционные усилители с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом с очень небольшим напряжением сдвига и гарантированным малым дрейфом этого напряжения. Для них требуется небольшой питающий ток, при этом обеспечивается высокое значение произведения коэффициента усиления на ширину полосы пропускания и высокая скорость нарастания. Кроме того, хорошо согласованные высоковольтные ОУ с входами на полевых транзисторах с p-n-переходом характеризуются малым входным током смещения и малым током сдвига. По выводам элемент LF411 совместим со стандартным элементом LM741, а это значит, что разработчик может моментально улучшить характеристики уже существующих приборов.

Эти усилители можно рекомендовать к использованию в качестве быстродействующих интеграторов, быстродействующих цифро-аналоговых преобразователей, схем выборки и запоминания и прочих схем, требующих небольшого напряжения сдвига и небольшого дрейфа этого напряжения, малого входного тока смещения, большого входного импеданса, высокой скорости нарастания и широкой полосы пропускания.

Свойства:

• внутренняя регулировка напряжения сдвига… 0,5 мВ (макс.)

• дрейф входного напряжения сдвига… 10 мкВ/°С (макс.)

• малый входной ток сдвига… 50 пА

• малый входной шумовой ток… 0,01 пА/√Гц

• широкая полоса пропускания… 3 МГц (мин.)

• высокая скорость нарастания… 10 В/мкс (мин.)

• небольшой потребляемый ток… 1,8 мА

• высокий входной импеданс… 10¹² Ом

• небольшое искажение гармонической составляющей, при К_U = 10, R_н = 10 кОм, Uвнх = 2U_{от пика до пика}, ширина полосы = 20 Гц-20 кГц… < 0,02 %

• небольшой угол наклона характеристики 1/f… 50 Гц

• быстрое установление до 0,01 %… 2 мкс

Типовое соединение

X — электрический класс

Y — температурный диапазон

«М» — военный стандарт,

«С» — коммерческий стандарт

Z — тип корпуса «Н» или «N»

Упрощенная схема

BI-FET II™ — торговая марка фирмы National Semiconductor Corp.

Схема соединений

Металлический корпус

Вид сверху. Примечание: выход 4 соединен с корпусом. Порядковый номер