BIOS и тонкая настройка ПК. Легкий старт - [28]

Оперативная память работает по управляющим сигналам от контроллера памяти, который вырабатывает последовательность сигналов с некоторыми задержками между ними. Задержки необходимы для того, чтобы модуль памяти успел выполнить текущую команду и подготовиться к следующей. Эти задержки называют таймингами и обычно измеряются в тактах шины памяти. Среди всех таймингов наибольшее значение имеют следующие: CAS Latency (tCL), RAS# to CAS# delay (tRCD), RAS# Precharge (tRP) и Active to Precharge Delay (tRAS).

В большинстве случаев нет необходимости устанавливать частоты и тайминги вручную, поскольку в современных модулях памяти все необходимые параметры задаются автоматически. В каждом модуле памяти есть специальный чип под названием SPD (Serial Presence Detect), в котором и записаны оптимальные значения для конкретного модуля. При желании можно отключить автоматическую настройку и задавать все параметры вручную. При этом можно повысить производительность системы, увеличив рабочие частоты или уменьшив тайминги, правда, вам придется взять на себя всю ответственность за стабильность ее работы.

Количество доступных параметров для настройки оперативной памяти может сильно отличаться для разных моделей системных плат, даже выполненных на одном и том же чипсете. Обычно это несколько наиболее важных параметров (см. рис. 6.1), а все остальные устанавливаются автоматически. Для любителей оптимизации и разгона есть платы со множеством настроек, но они и более дорогие.

DRAM Timing Selectable, Timing Mode

Это основной параметр для настройки оперативной памяти, с помощью которого выбирается ручной или автоматический режим.

Возможные значения:

■ By SPD (Auto) – параметры модулей памяти устанавливаются автоматически с помощью данных из чипа SPD; это значение по умолчанию, и без особой необходимости менять его не следует;

■ Manual – параметры модулей памяти устанавливаются вручную. При выборе этого значения можно изменять установки рабочих частот и таймингов.

SDRAM Timing by SPD, Configure SDRAM by SPD, Memory Timing by SPD

Смысл этих параметров полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Timing Selectable, а возможные значения будут такими:

■ Enabled (On) – параметры оперативной памяти устанавливаются автоматически в соответствии с данными SPD;

■ Disabled (Off) – оперативная память настраивается вручную.

Memory Frequency for, DRAM Frequency, Max Memclock, Memclock Index Value

Параметр устанавливает частоту, на которой будут работать модули оперативной памяти. Эта частота в большинстве случаев задается автоматически в соответствии с информацией из SPD. Настраивая вручную, можно заставить память ускориться, однако далеко не каждый модуль при этом будет работать стабильно.

Возможные значения:

■ Auto – частота оперативной памяти устанавливается автоматически в соответствии с данными SPD (по умолчанию);

■ 100, 120, 133 (РС100, РС133) – возможные значения для памяти SDRAM;

■ 200, 266, 333,400, 533 (DDR266, DDR333, DDR400, DDR533) – возможные значения для памяти DDR.

CAS# Latency, tCL, DRAM CAS# Latency, SDRAM CAS Latency Time

Параметр устанавливает задержки между подачей сигнала выборки столбца (CAS#) и началом передачи данных.

Возможные значения – 1,5; 2; 2,5; 3. Меньшие значения соответствуют более быстрой памяти, однако не все модули могут работать при таких значениях.

...

ПРИМЕЧАНИЕ

В некоторых версиях BIOS к числовому значению этого и последующих параметров добавляется единица измерения, например ЗТ (3 DRAM Clocks).

tRCD, RAS# to CAS# delay, SDRAM RAS-to-CAS Delay

Параметр изменяет время задержки между сигналом выборки строки (RAS#) и сигналом выборки столбца (CAS#).

Возможные значения – 2, 3, 4, 5, 6, 7. Чем меньше значение tRCD, тем быстрее доступ к ячейке, однако, как и в случае CAS Latency, слишком низкие значения могут привести к нестабильной работе памяти.

tRP, DRAM RAS# Precharge, RAS Precharge, SDRAM RAS Precharge, Row Precharge Time

Параметр задает минимально допустимое время, чтобы подзарядить строку после ее закрытия.

Возможные значения – 2, 3, 4, 5. При меньших значениях этого параметра память работает быстрее, но слишком низкие могут привести к ее нестабильности.

tRAS, Active to Precharge Delay, DRAM RAS# Activate to Precharge, Min RAS# Active Time

Параметр устанавливает минимальное время между командой активизации строки и командой закрытия, то есть такое время, в течение которого строка может быть открыта.

Возможные значения – 5, 6, 7, 8, 9, 10. Чтобы увеличить производительность, попробуйте установить минимальное значение tRAS или же подберите его экспериментально.

DRAM Command Rate, 1Т/ 2Т Memory Timing

Параметр устанавливает задержку при передаче команд от контроллера к памяти.

Возможные значения:

■ 2Т (2Т Command) – величина задержки равна двум тактам, что соответствует меньшей скорости, но большей надежности работы памяти;

■ IT (IT Command) – задержка в один такт увеличивает скорость оперативной памяти, однако не всякая система может при этом нормально работать.

2Т Command

Параметр полностью аналогичен рассмотренному выше DRAM Command Rate,