Шпионские штучки, или Секреты тайной радиосвязи - [8]

Анализ формы амплитудно-частотной характеристики микрофонного усилителя позволяет определить ширину полосы пропускания, под которой обычно понимается полоса частот, в пределах которой коэффициент усиления уменьшается до уровня 0,707 от своего максимального значения. Часто диапазон частот или полоса пропускания определяется как область частот, в пределах которой изменение коэффициента усиления не превышает допустимого значения, например, не более 30 % (3 дБ). В малогабаритных радиопередающих устройствах для обеспечения внятности и разборчивости речевого сигнала микрофонный усилитель может иметь полосу пропускания всего от 300 Гц до 3500 Гц. Однако чаще предпочтение отдается схемотехническим решениям, с помощью которых можно получить полосу пропускания от 100 Гц до 5000 Гц.

Иногда для оценки качественных параметров микрофонного усилителя используется такая характеристика, как чувствительность. Под чувствительностью в данном случае понимается минимальный уровень сигнала, подаваемого на вход усилителя, при котором уровень сигнала на его выходе будет равен требуемому значению. В миниатюрных радиопередатчиках и радиомикрофонах уровень сигнала, формируемого на выходе микрофонного усилителя, должен быть таким, чтобы обеспечивалась корректная работа модулятора.

При выборе схемы микрофонного усилителя для малогабаритных радиопередающих устройств большое значение имеют и другие характеристики, например, нелинейные искажения. Однако их подробное рассмотрение выходит за рамки данной книги.

2.2. Усилительный каскад на транзисторе

Основу простейших микрофонных усилителей, предназначенных для работы в миниатюрных радиопередатчиках и радиомикрофонах, составляют усилительные каскады, выполненные на биполярных или полевых транзисторах. Ограниченный объем данной книги не позволяет рассмотреть даже малую часть заслуживающих внимания конструкций таких усилителей, разработанных на основе самых разнообразных схемотехнических решений. Поэтому в данном разделе основное внимание уделяется так называемым классическим схемам усилительных каскадов, выполненных на одном транзисторе.

Необходимо отметить, что в рассматриваемых в данной книге малогабаритных радиопередающих устройствах усилительный каскад на транзисторе составляет основу и генератора высокочастотных колебаний. Поэтому приводимые в данном разделе описания принципов действия транзисторных усилителей необходимы для понимания основ функционирования ВЧ-генераторов, рассматриваемых в следующей главе.

Принцип действия

В настоящее время в микрофонных усилителях в качестве усилительных каскадов низкочастотного сигнала широко используются обычные транзисторные усилители, в которых биполярный транзистор включен по схеме с общим эмиттером. Именно такие усилительные каскады, по сравнению со схемами с общей базой и с общим коллектором, обеспечивают наибольшее усиление по мощности.

Упрощенная принципиальная схема усилительного каскада, выполненного на биполярном транзисторе n-p-n проводимости, включенном по схеме с общим эмиттером, приведена на рис. 2.1а.

Рис. 2.1. Принципиальные схемы усилительного каскада на биполярном транзисторе, включенном по схеме с общим эмиттером (а) и усилительного каскада на полевом транзисторе, включенном по схеме с общим истоком (б)

В данной схеме коэффициент усиления по току представляет собой отношение амплитуд (действующих значений) выходного и входного переменного тока, то есть переменных составляющих тока коллектора и тока базы транзистора.

Главным параметром, характеризующим транзистор, включенный по схеме с общим эмиттером, является статический коэффициент усиления по току (коэффициент передачи тока) для схемы с ОЭ, который обозначается как b. Этот параметр для того или иного типа биполярного транзистора при необходимости можно найти в любом справочнике.

В транзисторном усилительном каскаде, выполненном по схеме с общим эмиттером, между входным и выходным напряжениями имеется фазовый сдвиг, составляющий 180°. Наличие указанного фазового сдвига объясняется особенностями функционирования такого каскада. При поступлении на базу транзистора VТ1 положительной полуволны входного сигнала происходит увеличение напряжения на переходе база-эмиттер. В результате возрастает ток эмиттера, и, соответственно, ток коллектора транзистора. Увеличение тока коллектора приводит к увеличению падения напряжения на резисторе R1, который является коллекторной нагрузкой. Иными словами, на нагрузочном резисторе дополнительно к уже имеющемуся постоянному напряжению добавляется переменное напряжение с той же полярностью. При этом напряжение на коллекторе транзистора VТ1, соответственно, уменьшается. Таким образом, при подаче положительной полуволны переменного напряжения на вход транзисторного каскада по схеме с общим эмиттером на его выходе формируется отрицательная полуволна выходного напряжения.

Достоинством схемы с общим эмиттером, помимо наибольшего усиления по мощности, является удобство питания от одного источника, так как на базу и коллектор транзистора подаются питающие напряжения одного знака. К недостаткам данной схемы включения следует отнести сравнительно малое входное сопротивление транзистора, определяемое особенностями конструкции биполярных транзисторов. Помимо этого, схема с общим эмиттером имеет худшие, по сравнению, например, со схемой с общей базой, частотные и температурные характеристики. С повышением частоты усиление в схеме с общим эмиттером снижается в значительно большей степени, чем, в схеме с общей базой.