«Круг моих научных интересов» как практика реальной рефлексии - [10]

).

Одним из удивительных моментов в использовании этого метода явилось получение путем электроэррозионного дис-перги-рования нитридов кремния различного состава a ,b – Si3 N4 и нитрида кремния состава Si3 N – кубической фазы. Здесь было поломано много копий и получено много шишек, но факт остается тот, что свойства этих материалов и, главное, Si3 N были подробно идентифицированы физико-химическими и электро-физическими методами, использованы в изготовлении электронных приборов, причем на кремнии a ,b – Si3 N4 давали МДП-структуру, a Si3 N на кремнии давал прекрасные диодные структуры.

Результаты работы в этой области были опубликованы моим сотрудником А.М. Полянским, которые вошли в его диссертацию. Затем, детальнейшим образом исследовал электрофизически эти материалы В.Ф. Воронов. Все мы были убеждены, что элек-троэррозионным диспергированием кремния в электрической дуге в атмосфере азота удается получать кубический нитрид кремния состава Si3 N. Насколько мне известно в научной литературе этот момент не нашел должного резонанса. Воз-можность получения кубических модификаций нитридов из их гексагональных форм, тем самым, оказывалось реальностью не только путем давления, но и в разряде плазмы. Поэтому, я полагал, что возможно получение плотных модификаций нитридов, например, нитрида бора, из его гексагональной фазы и путем высокочастотного распыления гексагонального нитрида бора или просто бора в плазме разряда азота. Этот опыт успешно был поставлен В.Н.Гаш-тольдом в моей лаборатории, результаты докладывались на совещаниях по нитридам, были опубликованы в разное время в печати, но наиболее полно в: Электронная техника. Серия 12.-1970.-№ 4.-с. 56-67. В это же время мой сотрудник И.В.Степанов попытался получить аналогичный результат на примере нитрида алюминия путем его термического распыления в виде диспер-гированной пленки, но здесь однозначного результа не было получено, зато удалось получить сносные полевые транзисторы (Электронная техника, –сер. 12. –в. 5.-с.51-60.-реф. Chem. Abstr., 1971. –v.74. –92585y) на основе пленочного нитрида алюминия и разработать новый способ изготовления тонкопленочных конденсаторов путем последовательного термического испарения нитридов переход-ных металлов в два приема: первый со скоростью 100 А/мин, второй 0,5-1 А/мин при общей толщине пленки, например, нитрида алюминия 4000-6000 А (Авт. свидетельство СССР № 297326). Стадия малых скоростей термического испарения материала оказалась необходимой и достаточной для полу-чения и качественного воспроизведения свойств емкостных элементов. Лишь позднее в дипломной работе Н.И. Бойкина был выяснен механизм и значимость этой стадии. Оказалось, что малые скорости напыления диэлектрического материала приводят к такой форме термической радиации материала в процессе его массопереноса. на подложку, что имеющиеся пустоты между диспергированными на подложке "островками" быстро испарявшегося материала заполняются сферолитами диэлектрика и осуществляется тем самым как бы "тонкая подгонка" номиналов емкостей. Становилось, совершенно очевидным, что плотность поверхностных состояний, пробивное напряжение, тангенс угла. потерь получаемых слоев можно контролировать, если термическое испарение материала сти-мулировать, например, УФ-облучением. Это и составило содер-жание дипломной работы Н.И.Бойкина применительно к синтезу пленочных покрытий на основе окиси и нитрида алюминия. От возможности получения в пленочном диспергированном сос-тоянии материалов бинарного состава (окислы, нитриды, халькогениды) путем их массопереноса компактного образца на подложку в форме пленок в условиях термического распыления, использования ВЧ-разряда, термического испарения, стиму-лированного УФ-облучением, электроннолучевого испарения круг интересов смещался и в сторону изучения процессов массо-переноса металлатных соединений сложного состава. например, получения термическим или ВЧ-распылением тонко-пленочных слоев метаниобата, метатанталата лития, метатитаната бария. Первые опыты в области пленок этих материалов были сделаны В.Ф. Вороновым еще в 1968 (Реферативная информация радио-электроники, 1970.-т. 4.-3060; 1970.-т.4."3074).

Фактически это была часть программы изучения неорга-нических элементов электроники и физико-химического управ-ления ими, выдвинутая мной в 1968 г. (Инф. справ, листок МЭПСССР № 000404, серия полупроводниковые приборы) на основе принципов построения систем, обладающих организацией и самоорганизацией, а затем детализированной в работе: "Элементы микроэлектроники, химические реакции и превращения в твердой фазе" –Электронная техника, сер. 12 ."1970 .-т. 4 .-с. 3-9. Получение халькогенидов и окислов рзэ бинарного состава, метатанталатов, метаниобатов щелочных металлов в пленочном состоянии, изучение емкостных, приборных структур на основе этих материалов составило предмет диссертационной работы В.Ф. Воронова. Получение же методом ВЧ-разряда аморфных, тек-стурированных слоев сегнетоэлектриков, выполненное Н.И. Бойкиным и Ю.В.Соколовым в 1975 г.(Изв. АН СССР, сер.