Госдачи Крыма. История создания правительственных резиденций и домов отдыха в Крыму. Правда и вымысел - [135]

1. 5 октября 1921 года в РСФСР был создан ГЭЭИ (с 1927 года ВЭИ) – Государственный экспериментальный электротехнический институт в рамках плана ГОЭЛРО. Первый директор института, виднейший электротехник К.А. Круг, привлекал к сотрудничеству крупных ученых того времени. Так, радиоотделом с 1923 по 1928 год руководил академик М.В. Шулейкин, один из прямых наследников дела А.С. Попова. В 1925 году сотрудник этого отдела С.Н. Какурин, разрабатывая проблемы телевидения, предложил осуществить модуляцию радиопередатчика с помощью фотоэлемента, созданного физиком Л.А. Тумерманом (1898–1986) в лаборатории.

2. Развитая производственная база в Москве (Московский завод имени Куйбышева – МЭЛЗ начал выпускать в 1927 году электролампы из отечественной вольфрамовой проволоки по технологии фирмы OSRAM) и Ленинграде (электровакуумный завод «Светлана» c 1928 года начал выпускать сложнейшие элементы аппаратуры связи – приемно-усилительные и генераторные лампы, став основным научно-техническим и производственным центром советской электроники, а завод «Красная заря» с 1931 года стал выпускать оборудование для ВЧ-связи), с закупленным в Германии оборудованием, которые в течение многих лет выпускали детали и приборы для электротехнической промышленности СССР.

3. Сотрудник Разведотдела штаба РККА Г.И. Семенов, в недавнем прошлом инспектор Главэлектро ВСНХ, с 7 сентября 1923 года (!), на основании секретного распоряжения ЦК РКП(б), вместе с ИНО ВЧК/ОГПУ занялся разработкой операции по краже технологии производства у компании OSRAM Werke GmbH:

а) нити накаливания из вольфрама и тантала;

б) металлокерамического сплава карбида вольфрама с кобальтом, так называемого widia (в СССР его назвали «победит»);

в) опытных и серийных образцов радиоламп широкой номенклатуры;

в) опытных и серийных образцов газонаполненных фотоэлементов с внешним эффектом (начали серийно выпускаться с 1927 года).

Необходимо отметить, что Г.И. Семенов хорошо справился с возложенной на него задачей руководством страны, и все образцы, перечисленные в задании, а также вся документации по технологии их изготовления были успешно переправлены в СССР. Все эти образцы, выкраденные из Германии, послужили аналогами будущих отечественных серийных деталей для электротехнической промышленности. Также Г.И. Семенову поручили завербовать максимальное количество квалифицированных рабочих с германских предприятий OSRAM, Simens & Halske и AEG, для работы в СССР по контракту, что было также успешно исполнено. В свою очередь, все, что сумел украсть Г.И. Семенов у фирмы Osram, было внедрено на МЭЛЗ с 1927 года.

4. В апреле 1925 года начал работать Московский авиационный завод № 12 «Радио», важнейшее предприятие радиотехнической промышленности, напрямую связанное с оборонным ведомством – РККА (выпускало радиолампы широкой номенклатуры, которые ни в чем не уступали западным образцам).

5. С марта 1932 года в СССР было налажено серийное производство газонаполненных (в баллоне содержался аргон или неон) фотоэлементов с внешним фотоэффектом марки ГК-2 (со светочувствительным слоем на основе метала калия) путем копирования последних современных образцов фирмы Simens & Halske. Выпускались эти фотоэлементы на МЭЛЗ (Москва) и на заводе «Светлана» (Ленинград). С 1933 года на тех же заводах стали выпускать еще более чувствительные цезиевые фотоэлементы, которые впоследствии и применялись в сигнализации фирмы Simens & Halske на Ближней даче, как заменители немецких аналогов.

6. С 1926 года был учрежден Физико-математический институт имени В.А. Стеклова РАН (с 1927 года Академия наук СССР), директором которого стал академик А.И. Иоффе, а сам институт до 1934 года располагался в Ленинграде. 28 апреля 1934 года на базе руководимого академиком С.И. Вавиловым Физического отдела Физико-математического института имени В.А. Стеклова АН СССР образован Физический институт АН СССР (ФИАН).

В августе 1934 года ФИАН, на основании постановления СНК – ЦИК переехал в Москву. 18 декабря 1934 года Физическому институту АН СССР присвоено имя великого русского физика Петра Николаевича Лебедева. В Оптической лаборатории ФИАН с 1927 года начались работы по созданию отечественных фотоэлементов разного типа ведущим сотрудником Л.А. Тумерманом (в 1948 году был арестован МГБ СССР вместе с женой Л.А. Шатуновской по делу об утечке сведений из личной жизни И.В. Сталина за рубеж), который в дальнейшем стал основным разработчиком данного ассортимента изделий для электротехнической промышленности СССР. В 1934 году Л.А. Тумерман написал книгу «Фотоэлемент и его применение» (ГНТТИ, Москва, 1934), где без всякого секрета, в популярной форме, выложил то, что было наработано и известно в СССР об этой чрезвычайно важной детали приборов радиосвязи, звукового кино, телевидения и телетайпов (например, разного типа фотоэлементы широко применялись за рубежом с 1928 года в телетайпах фирм IT&T, Olivetti, Kleinschmidt Labs, Morkram).

7. Для исследования проблем в сфере физической оптики, по инициативе академика Д.С. Рождественского, 15 декабря 1918 года Декретом СНК РСФСР был учрежден Государственный оптический институт. В 1931 году ГОИ были присвоены функции Головного института по оптике – методически организующего своим примером высокого уровня работ и своими действиями работу всех отраслей промышленности, в основе которых лежит оптика. В данном институте, кроме всего прочего, исследовались проблемы приборов, работающих с использованием фотоэлектрических элементов разного типа.