Энциклопедия радиолюбителя - [10]
Основными параметрами полевых транзисторов являются:
• напряжение отсечки U>o— приложенное к затвору напряжение, при котором перекрывается сечение канала;
• максимальный ток стока I>с.>макс;
• напряжения: между затвором и стоком U>зс, между стоком и истоком U>си и между затвором и истоком U>зи;
• входная С>вх, проходная С>пр и выходная С>вых емкости.
Система обозначений
Встречаются транзисторы (биполярные), которые имеют старую, введенную до 1964 г. систему обозначений. По старой системе в обозначение транзистора входит буква П и цифровой номер. По номеру транзистора можно определить, для каких каскадов радиоэлектронной конструкции он разработан. Если перед буквой П стоит буква М, то это значит, что корпус транзистора холодносварочной конструкции.
Расшифровка типов транзисторов по номеру следующая:
Низкочастотные (до 5 МГц):
• 1…100 — германиевые малой мощности, до 0,25 Вт;
• 101…201 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 201…300 — германиевые большой мощности, более 0,25 Вт;
• 301…400 — кремниевые более 0,25 Вт.
Высокочастотные (свыше 5 МГц):
• 401…500 — германиевые до 0,25 Вт;
• 501…600 — кремниевые до 0,25 Вт;
• 601…700 — германиевые более 0,25 Вт;
• 701…800 — кремниевые более 0,25 Вт.
Например, П416Б — транзистор германиевый, высокочастотный, малой мощности, разновидности Б; МП39Б — германиевый транзистор, имеющий холодносварочный корпус, низкочастотный, малой мощности, разновидности Б.
В новой системе обозначений используется буквенно-цифровой шифр, который состоит из 5 элементов:
1 элемент системы обозначает исходный материал, на основе которого изготовлен транзистор и его содержание не отличается от системы обозначения диодов, то есть Г или 1 — германий, К или 2 — кремний, А или 3 — арсенид галлия, И или 4 — индий.
2 элемент — буква Т (биполярный) или П (полевой).
3 элемент — цифра, указывающая на функциональные возможности транзистора по допустимой рассеиваемой мощности и частотным свойствам.
Транзисторы малой мощности, Р>тах < 0,3 Вт:
1 — маломощный низкочастотный, f>гр< 3 МГц;
2 — маломощный среднечастотный, 3 < f>гр< 30 МГц;
3 — маломощный высокочастотный, 30 < f>гр< 300 МГц.
Транзисторы средней мощности, 0,3 < Р>тах < 1,5 Вт:
4 — средней мощности низкочастотный;
5 — средней мощности среднечастотный;
6 — средней мощности высокочастотный.
Транзисторы большой мощности, Р>тах > 1,5 Вт:
7 — большой мощности низкочастотный;
8 — большой мощности среднечастотный;
9 — большой мощности высокочастотный и сверхвысокочастотный (f>гр> 300 Гц).
4 элемент — цифры от 01 до 99, указывающие порядковый номер разработки.
5 элемент — одна из букв от А до Я, обозначающая деление технологического типа приборов на группы.
Например, КТ540Б — кремниевый транзистор средней мощности среднечастотный, номер разработки 40, группа Б. При изготовлении транзисторов используют различные технологические приемы, в результате чего получаются приборы со специфическими особенностями, эксплуатационными свойствами и параметрами. Цоколевка транзисторов, широко используемых радиолюбителями, дана на рис. 2.2.
Рис. 2.2.Цоколевка отечественных транзисторов
Цветовая и цифровая маркировка
Транзисторы, как и другие радиокомпоненты, маркируют с помощью цветового кода. Цветовой код состоит из изображения геометрических фигур (треугольников, квадратов, прямоугольников и др.), цветных точек и латинских букв. Код наносится на плоских частях, крышке и других местах транзистора. По нему можно узнать тип транзистора, месяц и год изготовления. Места маркировки и расшифровка цветовых кодов некоторых типов транзисторов приведены на рис. 2.3…2.5 и в табл. 2.2…2.4. Практикуется также маркировка некоторых типов транзисторов цифровым кодом (табл. 2.5).
Рис. 2.3.Места цветовой и кодовой маркировки маломощных среднечастотных и высокочастотных транзисторов в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Рис. 2.4.Места цветовой маркировки транзистора КТ3107 в корпусе КТ-26 (ТО-92)
Рис. 2.5.Места кодовой маркировки транзисторов в корпусе КТ-27 (ТО-126)
Таблица 2.4.Цветовая и кодовая маркировки транзисторов
2.3. Интегральные микросхемы
Общая характеристика
Интегральная микросхема (ИС) представляет собой функциональный миниатюрный микроэлектронный блочок, в котором содержатся транзисторы, диоды, резисторы, конденсаторы и другие радиоэлементы, которые выполнены методом молекулярной электроники. Находящиеся в небольшом объеме радиоэлементы образуют микросхему определенного назначения. По конструктивно-технологическому выполнению микросхемы делятся на несколько основных групп: гибридные, полупроводниковые (монолитные) и пленочные. Гибридные микросхемы выполняются на диэлектрической подложке с использованием монтажа дискретных радиокомпонентов пайкой или сваркой на контактных площадках. В полупроводниковых ИС все элементы схемы формируются в кристалле полупроводника. В пленочных ИС радиоэлементы выполнены в виде пленок, нанесенных на поверхность диэлектрика. Все эти микросхемы делятся на схемы с малой (до 10 элементов), средней (10…100 элементов) и большой (свыше 100 элементов) степенью интеграции. Промышленность выпускает большое количество самых разнообразных ИС, которые в зависимости от функционального назначения делят на аналоговые и цифровые (логические). Аналоговые микросхемы применяют для генерации, усиления и преобразования сигналов. Цифровые ИС служат для обработки дискретного сигнала, выраженного в двоичном или цифровом коде, поэтому их чаше называют логическими микросхемами. Эти микросхемы применяют в вычислительной технике, автоматике и в других областях промышленности.
