Большая Советская Энциклопедия (ВТ) - [22]

, большая сила, частота и длительность электрических разрядов в нервных клетках определённых пунктов коры мозга. Развитие В. с. с. — результат деятельности всей коры больших полушарий; связать этот процесс с функцией какого-то ограниченного отдела мозга невозможно.

  Лит.: Павлов И. П., Поли. собр. трудов, т. 1—5, М. — Л., 1940—49; Красногорский Н. И., Труды по изучению высшей нервной деятельности человека и животных, т. 1, М., 1954; Бойко Е. И., Основные положения высшей нейродинамики, в сб.: Пограничные проблемы психологии и физиологии, М., 1961; Кольцова М. М., Обобщение как функция мозга, Л., 1967.

  М. М. Кольцова.

Вторичная полость

Втори'чная по'лость тела, полость между стенкой тела и внутренними органами у кольчатых червей, иглокожих и всех хордовых; то же, что целом.

Вторичная почка

Втори'чная по'чка, то же, что метанефрос.

Вторичная электронная эмиссия

Втори'чная электро'нная эми'ссия, испускание электронов поверхностью твёрдого тела при её бомбардировке электронами. Открыта в 1902 немецкими физиками Аустином и Г. Штарке. Электроны, бомбардирующие тело, называются первичными, испущенные — вторичными. Часть первичных электронов отражается телом без потери энергии (упруго отражённые первичные электроны), остальные — с потерями энергии (неупруго отражённые электроны), расходуемой в основном на возбуждение электронов твёрдого тела, переходящих на более высокие уровни энергии. Если их энергия и импульс оказываются достаточно большими для преодоления потенциального барьера на поверхности тела, то электроны покидают поверхность тела (истинно вторичные электроны). Все три группы электронов присутствуют в регистрируемом потоке вторичных электронов (рис. 1).

  В тонких плёнках В. э. э. наблюдается не только с той поверхности, которая подвергается бомбардировке (эмиссия на отражение, рис. 2, а), но и с противоположной поверхности (эмиссия на прострел, рис. 2, б).

  Количественно В. э. э. характеризуется коэффициентом В. э. э. σ = i_вт/i_п , где — i_вт ток, образованный вторичными электронами, i_п — ток первичных электронов, коэффициент упругого r = i_r/i_п и неупругого η = i_η/i_п отражения электронов, а также коэффициентом эмиссии истинно вторичных электронов δ = i_δ/i_п (i_r, i_η, i_δ — токи, соответствующие упруго отражённым, неупруго отражённым и истинно вторичным электронам, i_вт = i_r + i_δ + i_δ).

  Коэффициент σ, r, η и δ зависят как от энергии первичных электронов E_п и угла их падения, так и от химического состава, метода изготовления и состояния поверхности облучаемого образца. В металлах, где плотность электронов проводимости велика, образовавшиеся вторичные электроны имеют малую вероятность выйти наружу. В диэлектриках, где концентрация электронов проводимости мала, вероятность выхода вторичных электронов больше. Вместе с тем вероятность выхода электронов зависит от высоты потенциального барьера на поверхности. В результате у ряда неметаллических веществ (окислы щёлочноземельных металлов, щёлочногалоидные соединения) σ > 1 (рис. 3). У специально изготовленных эффективных эмиттеров (интерметаллические соединения типа сурьмянощелочных металлов, спецтальным образом активированные сплавы CuAlMg, AgAlMg, AgAlMgZi и др.) s 1. У металлов же и собственных полупроводников значение сравнительно невелико (рис. 4). У углерода (сажи) и окислов переходных металлов σ < 1 ,и они могут применяться как антиэмиссионные покрытия.

  С увеличением энергии E_п первичных электронов σ сначала возрастает (рис. 3, 4). Это происходит до тех пор, пока возбуждение электронов тела происходит вблизи поверхности на расстоянии меньшем, чем их длина пробега. При дальнейшем росте E_п общее число возбуждённых электронов продолжает расти, но основная часть их рождается на большей глубине и число электронов, выходящих наружу, уменьшается. Аналогично объясняется рост s с увеличением угла падения пучка первичных электронов.

  Монокристаллы анизотропны по отношению к движению электронов (см. Анизотропия). При движении электронов вдоль каналов, образуемых плотно упакованными цепочками атомов, вероятность рассеяния электронов и ионизации атомов повышается (каналирование). Наблюдается также дифракция электронов в кристаллической решётке. В результате этого зависимости s, h и r от угла падения первичных электронов и кривые s (E_п), r (E_п) и h(E_п) для монокристаллов имеют сложную форму с рядом максимумов и минимумов (рис. 5).

  Приводимые для поликристаллов коэффициенты s, h, r, d обычно представляют собой величины, усреднённые по различным направлениям.

  В. э. э. реализуется за время, меньшее чем 10^-12сек, т. е. является практически безынерционным процессом.

  Самостоятельное значение получило исследование и применение В. э. э. в сильных электростатических полях и электрических полях сверхвысоких частот. Создание в диэлектрике сильного электрического поля (10⁵—10⁶в|см) приводит к увеличению s до 50—100 (вторичная электронная эмиссия, усиленная полем). Кроме того, в этом случае величина s существенно зависит от пористости диэлектрического слоя, так как наличие пор увеличивает эффективную поверхность эмиттера, а поле способствует «вытягиванию» медленных вторичных электронов, которые, ударяясь о стенки пор, могут вызвать, в свою очередь, В. э. э. с s > 1 и возникновение электронных лавин. Развитие лавин при определённых условиях приводит к самоподдерживающейся холодной эмиссии, продолжающейся в течение многих часов после прекращения бомбардировки электронами.