Большая Советская Энциклопедия (ЛА) - [12]
В зависимости от характера движения снега по склонам выделяются три типа Л.: «осовы» (снежный оползень), соскальзывающие по всей поверхности склона вне русел; «лотковые» — движущиеся по ложбинам, логам и эрозионным бороздам; «прыгающие» по уступам, т. е. свободно падающие. Скорость движения Л. в среднем 20—30 м/сек. Падение Л. обычно сопровождается своеобразным свистом низкого тона (в случае падения сухого снега), скрежетом (в случае падения мокрого снега) или оглушительным шумом (в случае возникновения воздушной волны). Частота падения Л. и их объём зависят от морфологии Л. «Лотковые» Л. из крутых ложбин падают часто, но достигают небольших объёмов; из разрушенных каров Л. падают редко, но достигают огромных объёмов. Остатками Л. обычно являются лавинные снежники.
Л. обладают огромной разрушительной силой, вызывая большие катастрофы и препятствуя нормальной эксплуатация дорог, промышленных сооружений и спортивных комплексов. Меры защиты: профилактические (горнолавинная служба и горнотехнический надзор; прогнозирование времени схода лавин, искусственный сброс лавин с помощью обстрела и взрывов) и инженерные (предупреждение соскальзывания снега в лавиносборах путём облесения, застройки склонов и укрепления их опорными сооружениями; отвод Л. от защищаемых объектов направляющими дамбами, лавинорезами; пропуск Л. над объектом с помощью навесов и галерей). Для территорий, подверженных лавинной опасности, составляются специальные карты, на которых выделяются районы со значительной, средней и слабой лавинной опасностью, а также районы с потенциальной опасностью (в наст. время безопасные, но могущие стать лавиноопасными при вырубке лесов, выемке грунта на склонах и т.п.).
Лит.: Тушинский Г. К., Ледники. снежники, лавины Советского Союза, М., 1963; Лосев К. С., Лавины СССР, Л., 1966; Лавиноопасные районы Советского Союза, М., 1970; Инженерная гляциология. М., 1971; Карта лавиноопасных районов Советского Союза, М., 1971.
Г. К. Тушинский.
Склон с лавинами различных типов.
Лавиноопасные районы СССР.
Поперечный разрез снежной толщи: 1 — рыхлый новый снег (метелевый) из остатков снежинок; 2 — мелкозернистый; 3 — среднезернистый; 4 — крупнозернистый; 5 — глубинная изморозь; 6 — корки.
Лавинно-пролётный полупроводниковый диод
Лави'нно-пролётный полупроводнико'вый дио'д (ЛПД), полупроводниковый прибор с отрицательным сопротивлением, возникающим из-за сдвига фаз между током и напряжением на выводах прибора вследствие инерционных свойств лавинного умножения носителей заряда и конечного времени их пролёта в области р-n-перехода. Лавинное умножение в р-n-переходе вызвано ударной ионизацией атомов носителями заряда. В отличие от др. приборов этого класса (туннельных диодов, тиристоров, Ганна диодов), отрицательное сопротивление ЛПД проявляется только на СВЧ. Идея создания ЛПД впервые высказана американским физиком В. Ридом в 1958. Экспериментально генерация колебаний с помощью ЛПД впервые наблюдалась в СССР в 1959 группой сотрудников под рук. А. С. Тагера.
ЛПД применяются для генерирования колебаний в диапазоне частот от 1 до 300 Ггц. Мощность колебаний составляет единицы вт (при кпд ~ 10%). В 1967 был открыт режим работы ЛПД, при котором электрические колебания возникают сразу на 2 частотах: частоте f>0, характерной для обычного режима, и её субгармонике f>0/f>n, где n > 3. Этот режим отличается высокими значениями кпд (до 60% ) и высокими уровнями отдаваемой на субгармониках мощности (до нескольких сотен вт).
Для получения ЛПД могут быть использованы структуры типа p>+-n-i-n>+ (диод Рида), p-i-n, р-n, р>+-n и р-n>+, образуемые диффузией примесей, ионной имплантацией, эпитаксиальным наращиванием, напылением в вакууме с образованием барьера Шотки (см. Полупроводниковая электроника). При изготовлении их применяют полупроводниковые материалы с высокой дрейфовой скоростью носителей заряда и большой шириной запрещенной зоны (GaAs, Si, Ge).
Лит.: Тагер А. С., Вальд-Перлов В. М., Лавннно-пролётные диоды и их применение в технике СВЧ, М., 1968.
В. М. Вальд-Перлов.
Лавинный транзистор
Лави'нный транзи'стор,транзистор, устойчиво работающий при напряжениях на коллекторном переходе, близких к напряжению пробоя. В этих условиях имеет место ударная ионизация, приводящая к увеличению числа носителей заряда в коллекторном переходе транзистора. Устойчивая работа Л. т. в предпробойной области обеспечивается повышенной однородностью распределения электрического поля по площади коллекторного перехода. Для изготовления Л. т. используются эпитаксиальные структуры р>+-р и n>+-n; базовая область Л. т. создаётся методом диффузии (см. Эпитаксия, Полупроводниковая электроника). Особенность Л. т. — возможность получения отрицательного сопротивленияв цепи «эмиттер — коллектор» и быстрое нарастание силы тока в этой цепи. Л. т. применяется в генераторах коротких импульсов с крутым фронтом и позволяет относительно просто формировать мощные импульсы тока (до нескольких а) со временем нарастания импульса менее 10>-9сек. Возможность генерирования Л. т. коротких импульсов с частотой повторения до 100
