500 схем для радиолюбителей. Дистанционное управление моделями - [16]

Принципиальная схема шифратора в этом случае будет иметь вид, приведенный на рис. 2.24. Схема отличается от предыдущей меньшим количеством деталей.

Рис. 2.24. Принципиальная схема шифратора на К564АГ1

Длительность положительных импульсов на выводе 10 микросхемы определяется выражением

τ₊ ~= 0,5(R1 + R2)·C1.

Длительность отрицательных — параметрами аналогичной цепочки (R3 + R4, С2. Поскольку для каждого импульса необходимо обеспечить одновременно и требуемую исходную длительность (τ₊ = 1,5 мс; τ_- = 8,5 мс), и заданную величину ее изменения Δτ = ±0,5 мс, для удобства настройки в каждом плече мультивибратора использовано по два потенциометра.

Стабилизатор напряжения DA1 призван исключить изменение параметров вырабатываемых импульсов при разряде батареи.

Впрочем, даже исключение DA1 из схемы приведет к отклонению параметров не более чем на 2 %. Если управляемым элементом передатчика команд служит варикап (при ЧМ-модуляции), то ключевой каскад на транзисторе VT1 можно исключить, используя импульсы непосредственно с вывода 10 микросхемы.

Амплитуда импульсов при этом равна напряжению на выходе стабилизатора. Подавать модулирующие импульсы на варикап следует через развязывающий резистор величиной 100–150 кОм. При желании, мультивибратор можно сделать симметричным, установив в обоих плечах одинаковые потенциометры.

Детали и конструкция

Печатная плата, как и в предыдущем случае, может быть общей с передатчиком. Для автономного варианта исполнения шифратора ее внешний вид изображен на рис. 2.25. Перемычка П1 устанавливается со стороны расположения деталей перед впаиванием микросхемы DD1.

Рис. 2.25.Печатная плата

Транзистор

VT1 может быть любого типа n-р-n проводимости. Электролитический конденсатор С3 — рабочим напряжением не менее 6 В.

Подстроечные резисторы R1, R3 можно использовать типа СПЗ-38б или РП1-63М6. Стабилизатор напряжения DA1 может быть любым из серии малогабаритных на выходное напряжение 5 В. Времязадающие конденсаторы С1 и С2, от стабильности которых зависит стабильность длительности вырабатываемых импульсов, лучше всего применить пленочные, типа К.73–17. Можно использовать и бумажные (МБМ), но придется несколько увеличить расстояния между отверстиями на плате для их установки.

Настройка

Настройка шифратора полностью аналогична предыдущему варианту. Потенциометры R1, R3 после настройки можно заменить постоянными резисторами.

2.3.4. Шифратор на транзисторах со стабилизацией периода повторения

Принципиальная схема

Ранее отмечалось, что исключить взаимное влияние каналов можно лишь стабилизировав период повторения канальных импульсов. В таких схемах командные импульсы формируются ждущими мультивибраторами, а их запуск осуществляется импульсами тактового генератора, который и определяет период повторения.

На рис. 2.26 приведена схема, в которой реализованы упомянутые моменты. Пунктиром обведена часть схемы, обеспечивающая двухканальное управление.

Рис. 2.26.Принципиальная схема шифратора

Период повторения командной посылки Т_п выбран равным 10 мс, длительности канальных импульсов в нейтральном положении ручек управления τ₀ = 1,5 мс, диапазон изменения канальных импульсов Δτ = ± 0,5 мс.

Выходные импульсы имеют положительную полярность и амплитуду U = 5 В. При необходимости количество каналов можно увеличивать вплоть до восьми, подключая дополнительные секции к правой части схемы. Период повторения при этом необходимо увеличить до 20 мс.

Принцип действия

Рассмотрим работу составных частей схемы. На транзисторах VT1, VT2 и элементах, их окружающих, собран тактовый генератор. Он формирует короткие положительные импульсы, следующие с требуемым периодом повторения Т_п. Импульсы снимаются с катода диода VD3 и поступают на запуск ждущего мультивибратора первого канального импульса.

Тактовый генератор работает следующим образом. При подаче питающего напряжения начинает заряжаться конденсатор С2 (от положительной клеммы источника питания, через резистор R3 и участок «база-эмиттер» транзистора VT1 на корпус). Ток заряда в первый момент максимален и создает на базе транзистора напряжение около 1 В.

На рис. 2.27, а хорошо видно, что этого напряжения достаточно для поддержания транзистора в открытом состоянии, так как оно превышает U_бо (напряжение отпирания транзистора). Величина зарядного тока в первый момент равна U_пит/(R3 + сопротивление участка «база-эмиттер») и достаточна для перевода транзистора в режим насыщения. Напряжение на его коллекторе, как следствие, практически равно нулю (рис. 2.27, в).

К коллектору подключена база транзистора VT2, который в результате надежно заперт. Ток через него не течет, и поэтому напряжение на резисторе R4, оно же U_э2, практически равно нулю (рис. 2.27, г).

Напряжение на конденсаторе С2 нарастает по экспоненте (рис. 2.27, а), так как постоянная времени заряда τ₃ ~= R3C2 невелика. Ток заряда, наоборот, уменьшается, вызывая уменьшение напряжения на базе транзистора VT1 (рис. 2.27, б). В момент времени t₁ это напряжение достигает напряжения запирания U_бо, и начинается лавинообразный процесс «опрокидывания» схемы.

Рис. 2.27.